Intensité Stokes et anti-Stokes
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Voici un enregistrement assez ancien du spectre Stokes et anti-Stokes enregistré à différentes températures pour du silicium monocristallin (orientation <111>). Il faut noter qu'en ce temps là, les auteurs de ce travail ont respecté les notations de base. On constate une grande variation d'intensité du rapport Stokes / anti-Stokes en fonction de la température.
On peut également noter un décalage, vers les plus fortes valeurs, du déplacement Raman lorsque la température diminue. Ceci est du à la contraction thermique. A plus basse température, le paramètre de maille est plus faible et la constante de force (la constante de raideur du ressort) est plus forte car les atomes sont plus proches les uns des autres.
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Spectre Raman du silicium représenté à diverses températures
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Variation du rapport des intensités anti-Stokes sur Stokes en fonction de la température
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Les expérimentateurs ont porté les valeurs des différents rapports en fonction de la température et trouvé cette loi qui fait penser à la distribution de Boltzmann :
Ce qu'il faut maintenant justifier à partir de la mécanique quantique.
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